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Kingston HyperX Genesis DDR3 12800 1600 MHz CL9 2X4GB - Sistema di prova e metodologia di test

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Sistema di prova e metodologia di test

 

Abbiamo effettuato i nostri test con una piattaforma Intel LGA  1155, con CPU dotata di architettura Sandy Bridge. Nel dettaglio:

 

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La CPU nei nostri test è stata portata ad un clock pari a 4 GHz.

 

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Ricordiamo che queste memorie hanno un Vdimm a default di 1,65V per la frequenza standard di 1600 Mhz, il quale viene impostato anche selezionando i profili XMP.  Sulle CPU di architettura Sandy Bridge è però necessario mantenersi massimo al Vdimm di 1,5V+5%, ovvero circa 1,57V, per evitare nel tempo di danneggiare il memory controller. Per questo motivo abbiamo modificato manualmente il Vdimm nell'utilizzo di queste memorie sulla nostra piattaforma. Ecco i settaggi che abbiamo utilizzato :

 

  • Frequenza: 1333 MHz; timings: 9-9-9-27; Vdimm: 1,5V;

 

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  • Frequenza: 1600 MHz; timing: 9-9-9-27 ; Vdimm; 1,5 V.

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Abbiamo testato la stabilità, come mostrano le immagini, utilizzando il software di stress Prime95 in modalità blend.

Vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal BIOS della scheda madre:

  • CasLatency Time (TCL): durante un’operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
  • Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
  • Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
  • RowPrecharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.

 

Test prestazionali

 

Usando le impostazioni sopra riportate, abbiamo rilevato le prestazioni usando i software di seguito elencati:

  • 3D Mark Vantage  (modalità entry, test GPU1 e GPU2);
  • PC Mark Vantage x64 (solo test sulla memoria);
  • 7-Zip;
  • WinRAR;
  • Cinebench 11.5;
  • Cinebench R10;
  • X264 HD Benchmark.

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