San Jose, California – Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) offre ai progettisti di apparecchi portatili un MOSFET MicroFET da 20V di soli 2x2x0,55mm d'ingombro caratterizzato dal valore RDS(ON) più basso del settore. Il dispositivo FDMA6023PZT è un MOSFET dual P-Channel costruito in un package compatto e sottile che risponde alle esigenze tipiche dei sistemi portatili che richiedono tecnologie in grado di prolungare il più possibile l'autonomia delle batterie. Il MOSFET FDMA6023PZT è offerto in un package MicroFET ultra-sottile con lead-frame a vista, contraddistinto da eccellenti livelli di efficienza termica e capacità di dissipazione oltre che da perdite di conduzione limitate rispetto ai MOSFET convenzionali.

Questo dispositivo è stato realizzato con la complessa tecnologia di processo MOSFET PowerTrench sviluppata da Fairchild, che assicura ottimi valori di bassa RDS(ON), Gate Charge (QG) complessiva e Miller Charge (QGD), che si traducono in superiori performance di conduzione e commutazione. Il dispositivo FDMA6023PZT fa parte di un portafoglio completo di MOSFET MicroFET che giocano un ruolo cardine nel superare le sfide progettuali dei moderni apparecchi portatili. Questo portafoglio comprende il dispositivo FDMA1027PT, un MOSFET PowerTrench P-Channel da 20V; e il dispositivo FDFMA2P853T, un MOSFET PowerTrench P-Channel da 20V con diodo Schottky incorporato.
Questi prodotti vantano ingombri inferiori del 55% e altezza minore del 50% rispetto ai MOSFET da 3x3x1,1mm utilizzati generalmente nei design a bassa tensione. Prezzo (cadauno per 1.000 pezzi): 0,48 dollari