KIST, che ha sviluppato il chip in collaborazione con il centro di ricerca coreano National Nano Fab, afferma che la densità di memorizzazione raggiunta con la propria tecnologia permette di memorizzare oltre un terabyte di dati in un chip grande quanto una puntina da disegno.
Questo traguardo è stato raggiunto combinando le nanowire con un materiale composto da silicio e ossido di nitruro: il risultato è un chippetto capace di contenere diversi miliardi di transistor e di assorbire una frazione dell'energia rispetto alle attuali memorie flash.
Ma il mercato, si sa, deve fare il suo corso: oggi le memorie NAND flash più dense utilizzano circuiti a 40 nanometri, e dunque si prevede che le versioni da 8 nanometri non arriveranno sul mercato prima di altri 6-8 anni.